SK 海力士组成子公司 SK HNA,“挖英特尔墙角”提高 NAND 竞争力

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IT之家 12 月 29 日音讯,据外媒 ChosunBiz 报导,SK 海力士日前在美国组建了一家名为 SK HNA(SK hynix NAND Development America)的子公司,并经过“挖英特尔墙角”招募了多位“具有数十年经历”的专家,以期进步自家 NAND 竞争力。

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据悉,SK HNA 公司坐落美国加州圣何塞,由约 30 名研究人员组成,仅有方针是“专心于开发高性能 NAND 技能”

外媒说到,SK 海力士本月从英特尔招募了资深主任工程师 Richard Pasto,这名工程师具有 28 年经历,此前曾在 AMD、Spansion 和 Cypress Semiconductor 作业过,在半导体范畴具有包括 3D NAND 技能在内的数十项专利。

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除了 Richard Pasto 外,SK 海力士还在本年 6 月招募了一位具有 30 年经历的存储规划专家 Rezaul Haque,在本年 11 月招募了一位曾在英特尔 NAND 范畴作业 13 年的工程师 Erika Shiple,现在上述三位人才已经成为 SK HNA 公司的“要害部分负责人”。

外媒一起宣称,SK 海力士方案使用 SK HNA 子公司招引更多 NAND 方面的人才,并能够与 SK 海力士旗下另一家从英特尔收买的子公司 Solidigm 发生协同效应,然后缩小与三星电子等对手之间的距离

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另据IT之家早前报导,SK 海力士方案在 2024 年发动 HBM4 研制,并推进 CXL 内存商业化量产作业,方案在 2024 年上半年完结 96GB 和 128GB 产品的客户认证,并在下半年完成商业化。

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